北京佳瑞欣科技发展有限公司

EEPROM（电可擦写可编程只读存储器）是可用户更改的只读存储器(ROM)其可通过高于普通电压的作用来擦除和重编程(重写)。不像EPROM芯片，EEPROM不需从计算机中取出即可修改。在一个EEPROM中，当计算机在使用的时候是可频繁地重编程的，EEPROM的寿命是一个很重要的设计考虑参数。EEPROM的一种特殊形式是闪存，其应用通常是个人电脑中的电压来擦写和重编程。DRAM断电后存在其中的数据会丢失，而EEPROM断电后存在其中的数据不会丢失。另外，EEPROM可以清除存储数据和再编程。

品牌	型号	描述
MicroChip	24AA00	串行I2C接口EEPROM，400 kHz，工作电压 1.7 - 5.5V
MicroChip	24AA01	串行I2C接口EEPROM，400 kHz，工作电压 1.7 - 5.5V
MicroChip	24AA04	串行I2C接口EEPROM，400 kHz，工作电压 1.7 - 5.5V
MicroChip	24AA32A	串行I2C接口EEPROM，400 kHz，工作电压 1.8 - 5.5V
MicroChip	24AA64	串行I2C接口EEPROM，400 kHz，工作电压 1.7 - 5.5V
MicroChip	24AA256	串行I2C接口EEPROM，400 kHz，工作电压 1.7 - 5.5V
MicroChip	24FC256	串行I2C接口EEPROM，1 MHz，工作电压 1.7 - 5.5V
MicroChip	24AA515	串行I2C接口EEPROM，400 kHz，工作电压 1.8 - 5.5V
MicroChip	24FC512	串行I2C接口EEPROM，1 MHz，工作电压 1.7 - 5.5V
MicroChip	24AA1025	串行I2C接口EEPROM，400 kHz，工作电压 1.7 - 5.5V
MicroChip	24FC1025	串行I2C接口EEPROM，1 MHz，工作电压 2.5 - 5.5V

NAND 闪存的存储单元则采用串行结构，存储单元的读写是以页和块为单位来进行(一页包含若干字节，若干页则组成储存块， NAND 的存储块大小为 8 到 32KB )，这种结构最大的优点在于容量可以做得很大，超过 512MB 容量的 NAND 产品相当普遍， NAND 闪存的成本较低，有利于大规模普及。

品牌	型号	描述
Winbond	W25X10AL	SPI接口Flash存储器，1M位(128KB)，工作电压2.3V - 3.6V
Winbond	W25X20AV	SPI接口Flash存储器，2M位(256KB)，工作电压2.7V - 3.6V
Winbond	W25X40AV	SPI接口Flash存储器，4M位(512KB)，工作电压2.7V - 3.6V
Winbond	W25X80AV	SPI接口Flash存储器，8M位(1MB)，工作电压2.7V - 3.6V
Winbond	W25Q16BV	SPI接口Flash存储器，16M位(2MB)，工作电压2.7V - 3.6V
Winbond	W25Q32V	SPI接口Flash存储器，32M位(4MB)，工作电压2.7V - 3.6V
Winbond	W25X64V	SPI接口Flash存储器，64M位(8MB)，工作电压2.7V - 3.6V

SRAM是英文Static RAM的缩写，它是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。不像DRAM内存那样需要刷新电路，每隔一段时间，固定要对DRAM刷新充电一次，否则内部的数据即会消失，因此SRAM具有较高的性能，但是SRAM也有它的缺点，即它的集成度较低，相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积，但是SRAM却需要很大的体积，所以在主板上SRAM存储器要占用一部分面积。

品牌	型号	描述
MicroChip	23A256	SPI接口SRAM，256kB，工作电压1.7-1.95V
MicroChip	23K256	SPI接口SRAM，256kB，工作电压2.7-3.6V
MicroChip	23A640	SPI接口SRAM，64kB，工作电压1.7-1.95V
MicroChip	23K640	SPI接口SRAM，64kB，工作电压2.7-3.6V
BSI	BH62UV8001	异步并口SRAM，8M(1Mx8)位，，55ns 1.65~3.6V
BSI	BH616UV8011	异步并口SRAM，8M(512Kx16)位，55ns 1.65~3.6V
BSI	BH616UV1611	异步并口SRAM，16M(1Mx16)位，55ns 1.65~3.6V
BSI	BS62LV256	异步并口SRAM，256K(32Kx8)位，55ns/70ns，2.4~5.5V
BSI	BS616LV1010	异步并口SRAM，1M(64Kx16)位，55ns/70ns，2.4~5.5V
BSI	BS616LV4017	异步并口SRAM，4M(256Kx16)位，55ns/70ns，2.4~5.5V
BSI	BS616LV1611	异步并口SRAM，16M(1Mx16)位，55ns/70ns，2.4~5.5V

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