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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。 |
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| 品牌 |
型号 |
描述 |
| IRF |
IRG4BC20FD |
600V Fast 1-8 kHz Copack IGBT in a TO-220AB package |
| IRF |
IRAM136-0461G |
4A/600V 功率模块驱动器 |
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导体对电流的阻碍作用就叫该导体的电阻。
在物理学中，用电阻（resistance）来表示导体对电流阻碍作用的大小。导体的电阻越大，表示导体对电流的阻碍作用越大。不同的导体，电阻一般不同，电阻是导体本身的一种性质。
导体的电阻通常用字母R表示，电阻的单位是欧姆（ohm），简称欧，符号是Ω（希腊字母，音译成拼音读作 ōu mì gǎ ）。比较大的单位有千欧（kΩ）、兆欧（MΩ）（兆=百万，即100万）。委会”审批 |
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| 品牌 |
型号 |
描述 |
| MuRata |
MHR0307SA |
1M-500M 高压电阻器 |
| MuRata |
RGLD |
3-18组 网络电阻 |
| MuRata |
PVA2A101A01 |
旋转角度：(260°±10°)、电阻值：100ohm ±25%、电阻温度系数：±250ppm |
| MuRata |
PVA2A151A01 |
微调电位器。旋转角度：(260°±10°)、电阻值：150ohm ±25%、电阻温度系数：±250ppm |
| MuRata |
PVA2A221A01 |
微调电位器。旋转角度：(260°±10°)、电阻值：220ohm ±25%、电阻温度系数：±250ppm |
| MuRata |
PVA2A331A01 |
微调电位器。旋转角度：(260°±10°)、电阻值：330ohm ±25%、电阻温度系数：±250ppm |
| MuRata |
PVA2A471A01 |
微调电位器。旋转角度：(260°±10°)、电阻值：470ohm ±25%、电阻温度系数：±250ppm |
| MuRata |
PVA2A681A01 |
微调电位器。旋转角度：(260°±10°)、电阻值：680ohm ±25%、电阻温度系数：±250ppm |
| MuRata |
PVA2A102A01 |
微调电位器。旋转角度：(260°±10°)、电阻值：1Kohm ±25%、电阻温度系数：±250ppm |
| MuRata |
PVA2A152A01 |
微调电位器。旋转角度：(260°±10°)、电阻值：1.5Kohm ±25%、电阻温度系数：±250ppm |
| MuRata |
NCP03WB473E05RL |
25度时为47k ohm ±3%、0603封装 NTC温度电阻 |
| MuRata |
NCP03WF104F05RL |
25度时为100k ohm ±1%、0603封装 NTC温度电阻 |
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金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。 |
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| 品牌 |
型号 |
描述 |
| IRF |
IRFP4768PBF |
250V单路N沟道MOSFET、TO-247AC封装 |
| IRF |
IRFU2607Z |
75V单路N沟道MOSFET、I-Pak封装 |
| IRF |
IRF5800TR |
-30V单路P沟道MOSFET、TSOP-6(Micro 6) 封装 |
| IRF |
IRF6218 |
-150V单路P沟道MOSFET、 TO-220AB封装 |
| IRF |
IRF7757GTRPBF |
20V双路N沟道MOSFET、TSSOP-8封装 |
| IRF |
IRF7103IPBF |
50V双路N沟道MSOFET、SO-8封装 |
| IRF |
IRF7755GTRPBF |
-20V双路N沟道MOSFET、TSSOP-8封装 |
| IRF |
IRF7343IPBF |
55V双路N+P沟道组合双管、SO-8封装 |
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电容是表征电容器容纳电荷的本领的物理量。我们把电容器的两极板间的电势差增加1伏所需的电量，叫做电容器的电容。电容从物理学上讲，它是一种静态电荷存储介质（就像一只水桶一样，你可以把电荷充存进去，在没有放电回路的情况下，刨除介质漏电自放电效应/电解电容比较明显，可能电荷会永久存在，这是它的特征），它的用途较广，它是电子、电力领域中不可缺少的电子元件。主要用于电源滤波、信号滤波、信号耦合、谐振、隔直流等电路中。 |
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| 品牌 |
型号 |
描述 |
| MuRata |
GRM188R61E474KA12 |
高介电常数型 X5R、0.47μF ±10% |
| MuRata |
GRM188R61E105KA12 |
高介电常数型 X5R、1.0μF ±10% |
| MuRata |
GRM21BR61E105KA99 |
高介电常数型 X5R、1.0μF ±10% |
| MuRata |
GRM188C80G475KE19 |
高介电常数型X6S、4.7 ±10% |
| MuRata |
GRM21BR71E225KA73 |
高介电常数型X7R、2.2 ±10% |
| Rubycon |
2SW220M |
220uF/2V铝电解电容、高容量低ESR |
| Rubycon |
8SW100M |
100uF/8V铝电解电容、高容量低ESR |
| Rubycon |
2SXB100M |
220uF/2V钽电容 |
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| 半导体电子器件，有两个PN结组成，可以对电流起放大作用，有3个引脚，晶体三极管分别为集电极（c)，基极（b)，发射极（e），电子三极管分别为屏极、栅极、阴极。晶体三极管有PNP和NPN型两种，以材料分有硅材料和锗材料两种。
半导体三极管也称双极型晶体管,晶体三极管,简称三极管,是一种电流控制电流的半导体器件.
作用:把微弱信号放大成辐值较大的电信号, 也用作无触点开关。 |
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| 品牌 |
型号 |
描述 |
| AOSMD |
AOZ8001K |
USB 2.0 High Speed Port TVS保护器件、两路 |
| AOSMD |
AOZ8001J |
USB 2.0 High Speed Port TVS保护器件、四路 |
| AOSMD |
AOZ8131 |
超低电容单路双向TVS保护二极管 |
| AOSMD |
AOZ8212 |
两路双双TVS保护二极管 |
| AOSMD |
AOZ8010 |
8路EMI滤波器和静电(± 18 kV)保护 |
| AOSMD |
AOZ8014 |
4路EMI滤波器和静电(± 17 kV)保护 |
| 江苏长电 |
CESD7V0D5 |
SOD-523 Plastic-Encapsulate Diodes |
| 江苏长电 |
CESD5V0D3 |
SOD-323 Plastic-Encapsulate Diodes |
ON |
MJW21194 |
16A 250V 200W NPN Audio Output Transistors TO-247 |
| ON |
MMBTH10M3T5G |
SOT-723 VHF NPN SOT-723 3 LEAD |
| ON |
2SA1020RLRAG |
1 W High Current PNP Transistor TO-92 (TO-226) 7.87mm Body Height 1Watt |
| ON |
D44H11 |
Bipolar Power NPN, 10 A, 80 V TO-220 3 LEAD STANDARD |
| ON |
D44H11G |
Bipolar Power NPN, 10 A, 80 V TO-220 3 LEAD STANDARD |
| ON |
MJ15001G |
Bipolar Power NPN, 15 A, 140 V TO-204 (TO-3) |
| ON |
MJ15002G |
Bipolar Power PNP, 15 A, 140 V TO-204 (TO-3) |
| ON |
MJ15003 |
Bipolar Power NPN, 20 A, 140 V TO-204 (TO-3) |
| ON |
MJ15003G |
Bipolar Power NPN, 20 A, 140 V TO-204 (TO-3) |
| ON |
MJ15004 |
Bipolar Power PNP, 20 A, 140 V TO-204 (TO-3) |
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